以免造成测量误差。

　　实验内容 :

　　本实验测量样品为Si与Si02。硅是吸收介质，所以具有复数折射率，对波长6328 A的He-Ne激光，n,=3. 9-0. 02i，实验时取入射角Φ0=700。

　　测量过程中，激光器输出光功率应稳定，为此，激光管必须点亮半小时后才能开始测量。

　　对消光状态的判断，有目测和光电检测两种结构，为了保护光电管，应先用目测，从观察窗观察反射光的光斑。光斑应是完整的园形亮斑，当样品台转动时，亮斑不应转动或出现残缺。旋转偏振器目测至光斑消失或最暗，再转换到光电检测。当光电流指示到最小值后，应把转换旋钮拨到观察窗的位置，再去读取起偏器P和检偏器A的读数(P，A)。光电管的高压取值600-900伏，一般放在700伏左右。

　　对于样品上的同一点，有两组起偏器和检偏器的刻度值，使得反射光处于消光状态。对这两组(P, A)进行数据处理。得到△和Ψ，通过列线图，数据表和计算机程序计算，最后获得厚度和折射率。

　　1.由测量的两组(P, A)计算△和Ψ：

　　根据仪器选用的座标系，必须把测量出的两组(P, A)通过适当的变换求平均值，然后算出△和Ψ，步骤如下：

　　(a)区分(P1 A1,)和(P2, A2)：先根据检偏器方位角范围区分A1和A2;对应于A1的起偏器方位角称P1，对应于A2称P2,读数范围表示如下：

　　A1：在0-90o之间 P1：在0-180o之间

　　A2：在90-180o之间 P2：P2=P1士90(当P2>0)

　　(b)根据下式将(P2，A2)换算成(P2’，A2’)

　　(c)把(P1，A1)(P2，A2)求平均，即：

　　通过以上变换，P，A的读数范围是：

　　(d)△和Ψ的计算公式：

　　实验数据表格及数据处理：

　　1.对SiO2的测量数据与计算机计算：

　　参量A1P1A2P2A2’P2’

　　SiO211.69O67.50O168.58 O157.54 O11.42 O67.54 O11.56O67.52 O

　　△=134.96 O 和 Ψ=11.56O

　　将以上参数输入计算机得：

　　折射率N1=2.34;

　　SiO2样品(周期)厚度：D1=140.66Å ，D2=1617.89Å ，D3=3095.138Å 。

　　2.对Si的数据测量与公式计算：

　　参量A1P1A2P2A2’P2’

　　Si10.56 O67.50 O167.52O170.00O12.48O80.00 O11.52O73.75O

　　△=132.4O 和 Ψ=11.52 O

　　将以上数据代入公式：

　　得：

　　n1 = N –iNK =3.23-0.31i